Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1
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FF8MR12W2M1B11BOMA1
1211-FF8MR12W2M1B11BOMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Module
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MOSFET MODULE 1200V 150A
1最小包装量--
FF8MR12W2M1B11BOMA1详情
Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
150A Tj
操作温度
-40°C~150°C TJ
系列
CoolSiC™+
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
20mW Tc
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 150A, 15V (Typ)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.55V @ 60mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11000pF @ 800V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
372nC @ 15V
漏源电压 (Vdss)
1200V
场效应管特性
Silicon Carbide (SiC)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FF8MR12W2M1B11BOMA1拓展信息
Infineon Technologies
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