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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4093.765971
10
¥3862.043372
100
¥3643.437135
500
¥3437.204852
1000
¥3242.646082
Infineon Technologies FF900R12IE4VBOSA1
- 收藏
- 对比
FF900R12IE4VBOSA1
1211-FF900R12IE4VBOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MOD 1200V 900A 5100W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF900R12IE4VBOSA1详情
Infineon Technologies FF900R12IE4VBOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
50 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
900A
Number of Elements
2
操作温度
-40°C~150°C
系列
PrimePack™2
已出版
2002
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PUFM-X10
配置
2 Independent
元素配置
Dual
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5100W
晶体管应用
GENERAL PURPOSE
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
350 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.05V @ 15V, 900A
关断时间-标准值(toff)
940 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
54nF @ 25V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
FF900R12IE4VBOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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