Infineon Technologies FP10R06W1E3BOMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

23

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

7

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

23

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

68W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

23

资历状况

不合格

配置

三相逆变器

功率耗散

68W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

16A

最大集极截止电流

1mA

接通时间

26 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

260 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

550pF @ 25V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅