FP10R12W1T7PB11BPSA1
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Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1

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型号

FP10R12W1T7PB11BPSA1

utmel 编号

1211-FP10R12W1T7PB11BPSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

LOW POWER EASY AG-EASY1B-2

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FP10R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies LOW POWER EASY AG-EASY1B-2

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FP10R12W1T7PB11BPSA1详情

Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 供应商器件包装

    AG-EASY1B

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Tray

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    10 A

  • Base Product Number

    FP10R12

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6

  • Pd - Power Dissipation

    -

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Continuous Collector Current at 25 C

    10 A

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    1.2 kV

  • 操作温度

    -40°C ~ 175°C (TJ)

  • 配置

    三相逆变器

  • 功率 - 最大

    20 mW

  • 输入

    三相桥式整流器

  • 最大集极截止电流

    4.5 μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    -

  • 连续集电极电流

    10

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    1890 pF @ 25 V

  • 产品

    IGBT硅模块

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技术文档: Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1.

FP10R12W1T7PB11BPSA1拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

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FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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