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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥949.776839
10
¥896.015883
100
¥845.298
500
¥797.450949
1000
¥752.312211
Infineon Technologies FP150R07N3E4BOSA1
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- 对比
FP150R07N3E4BOSA1
1211-FP150R07N3E4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 650V 150A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FP150R07N3E4BOSA1详情
Infineon Technologies FP150R07N3E4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
Number of Elements
7
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
43
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
43
JESD-30代码
R-XUFM-X43
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
430W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
接通时间
180 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 150A
关断时间-标准值(toff)
450 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
9.3nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FP150R07N3E4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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