FP35R12KT4PBPSA1
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Infineon Technologies FP35R12KT4PBPSA1

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型号

FP35R12KT4PBPSA1

utmel 编号

1211-FP35R12KT4PBPSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4

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FP35R12KT4PBPSA1
FP35R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4

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FP35R12KT4PBPSA1详情

Infineon Technologies FP35R12KT4PBPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    70A

  • Number of Elements

    7

  • 操作温度

    -40°C~150°C

  • 系列

    EconoPIM™ 2

  • 已出版

    2002

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    23

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X23

  • 配置

    三相逆变器

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    20mW

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    三相桥式整流器

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    210 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.15V @ 15V, 35A

  • 关断时间-标准值(toff)

    620 ns

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    2nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Infineon Technologies FP35R12KT4PBPSA1.

FP35R12KT4PBPSA1拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

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