Infineon Technologies FP35R12W2T7PBPSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

AG-EASY2B

厂商

Infineon Technologies

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

35 A

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Pd - Power Dissipation

20 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Continuous Collector Current at 25 C

35 A

Mounting Styles

PCB 安装

Part # Aliases

FP35R12W2T7P SP005630829

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tray

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

三相逆变器

功率 - 最大

20 mW

输入

三相桥式整流器

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

5.8 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.6V @ 15V, 35A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

6.62 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块