Infineon Technologies FP50R12N2T7BPSA1
- 收藏
- 对比
FP50R12N2T7BPSA1
1211-FP50R12N2T7BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-711
1最小包装量--
FP50R12N2T7BPSA1详情
Infineon Technologies FP50R12N2T7BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-ECONO2B
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
50 A
Base Product Number
FP50R12
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
Module
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Pd - Power Dissipation
-
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Part # Aliases
FP50R12N2T7 SP003086580
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
引脚数量
23
配置
三相逆变器
功率耗散
-
功率 - 最大
20 mW
输入
三相桥式整流器
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
10 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.5V @ 15V, 50A
连续集电极电流
50A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
11.1 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
FP50R12N2T7BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。