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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥575.598078
10
¥543.017053
100
¥512.280239
500
¥483.283243
1000
¥455.927591
Infineon Technologies FP75R07N2E4BOSA1
- 收藏
- 对比
FP75R07N2E4BOSA1
1211-FP75R07N2E4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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IGBT MODULE VCES 600V 75A
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FP75R07N2E4BOSA1详情
Infineon Technologies FP75R07N2E4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
95A
Number of Elements
7
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
终止次数
31
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
31
JESD-30代码
R-XUFM-X31
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
接通时间
45 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 75A
关断时间-标准值(toff)
320 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
4.6nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FP75R07N2E4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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