Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA1
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FP75R12N2T7B11BPSA1
1211-FP75R12N2T7B11BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT Modules LOW POWER ECONO
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FP75R12N2T7B11BPSA1详情
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-ECONO2B
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Pd - Power Dissipation
-
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
10
Part # Aliases
FP75R12N2T7_B11 SP005434982
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
Module
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Package
Tray
Current-Collector (Ic) (Max)
75 A
Base Product Number
FP75R12
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Discontinued at Digi-Key
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
系列
EconoPIM™ 2
引脚数量
31
配置
3-Phase Inverter
功率耗散
-
功率 - 最大
20 mW
输入
三相桥式整流器
最大集极截止电流
14 µA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.55V @ 15V, 75A
连续集电极电流
75
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
15.1 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
FP75R12N2T7B11BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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