Infineon Technologies FS100R07N2E4BOSA1
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FS100R07N2E4BOSA1
1211-FS100R07N2E4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MOD 650V 100A 335W
1最小包装量--
FS100R07N2E4BOSA1详情
Infineon Technologies FS100R07N2E4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
100A
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
三相逆变器
功率 - 最大
335W
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 100A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
6.2nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FS100R07N2E4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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