FS100R07N2E4BOSA1
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Infineon Technologies FS100R07N2E4BOSA1

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型号

FS100R07N2E4BOSA1

utmel 编号

1211-FS100R07N2E4BOSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MOD 650V 100A 335W

起订量

1最小包装量--

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FS100R07N2E4BOSA1
FS100R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies IGBT MOD 650V 100A 335W

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FS100R07N2E4BOSA1详情

Infineon Technologies FS100R07N2E4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100A

  • 操作温度

    -40°C~150°C

  • 已出版

    2002

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    三相逆变器

  • 功率 - 最大

    335W

  • 输入

    Standard

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    650V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.95V @ 15V, 100A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    6.2nF @ 25V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies FS100R07N2E4BOSA1.

FS100R07N2E4BOSA1拓展信息

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