Infineon Technologies FS100R12KE3_B3
- 收藏
- 对比
FS100R12KE3_B3
1211-FS100R12KE3_B3
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 32-Pin ECONO 3
--最小包装量--
FS100R12KE3_B3详情
Infineon Technologies FS100R12KE3_B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
引脚数
32
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
6
操作温度
150°C TJ
已出版
2012
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
34
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
34
JESD-30代码
R-XUFM-X34
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
480W
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
140A
最大集极截止电流
5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
最大耗散功率(Abs)
480W
接通时间
340 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 100A
关断时间-标准值(toff)
610 ns
IGBT类型
NPT
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
7.1nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.15 V
RoHS状态
符合RoHS标准
FS100R12KE3_B3拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。