Infineon Technologies FS150R17N3E4BOSA1
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FS150R17N3E4BOSA1
1211-FS150R17N3E4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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IGBT MODULE VCES 650V 150A
1最小包装量--
FS150R17N3E4BOSA1详情
Infineon Technologies FS150R17N3E4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
Current-Collector (Ic) (Max)
150A
Number of Elements
1
操作温度
-40°C~150°C
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
三相逆变器
功率 - 最大
835W
无卤素
不含卤素
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700V
最大耗散功率(Abs)
835W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 150A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
栅极-发射极电压-最大值
20V
输入电容(Cies)@Vce
13.5nF @ 25V
VCEsat-最大值
2.3 V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
FS150R17N3E4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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