注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥332.915586
10
¥314.071308
100
¥296.293687
500
¥279.522345
1000
¥263.700327
Infineon Technologies FS30R06W1E3BOMA1
- 收藏
- 对比
FS30R06W1E3BOMA1
1211-FS30R06W1E3BOMA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MODULE 600V 60A 150W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FS30R06W1E3BOMA1详情
Infineon Technologies FS30R06W1E3BOMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
表面安装
NO
引脚数
18
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
60A
Number of Elements
6
操作温度
-40°C~150°C TJ
已出版
2002
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
15
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
22
JESD-30代码
R-XUFM-X15
资历状况
不合格
配置
三相逆变器
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
150W
晶体管应用
电源控制
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
52 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
355 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
1.65nF @ 25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
FS30R06W1E3BOMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。