注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥123.076294
10
¥116.109709
100
¥109.537464
500
¥103.337232
1000
¥97.48795
Infineon Technologies FS50R07N2E4BOSA1
- 收藏
- 对比
FS50R07N2E4BOSA1
1211-FS50R07N2E4BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

IGBT MODULE 650V 70A 190W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FS50R07N2E4BOSA1详情
Infineon Technologies FS50R07N2E4BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
Module
安装类型
底座安装
Current-Collector (Ic) (Max)
70A
已出版
2002
操作温度
-40°C~125°C
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
全桥逆变器
功率 - 最大
190W
输入
Standard
最大集极截止电流
1mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.95V @ 15V, 50A
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
3.1nF @ 25V
RoHS状态
符合RoHS标准
FS50R07N2E4BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。