FS6R06VE3_B2
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Infineon Technologies FS6R06VE3_B2

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型号

FS6R06VE3_B2

utmel 编号

1211-FS6R06VE3_B2

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

EASY750

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules N-CH 600V 11A

起订量

1最小包装量--

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FS6R06VE3_B2 Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 600V 11A

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FS6R06VE3_B2详情

Infineon Technologies FS6R06VE3_B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 包装/外壳

    EASY750

  • 终端数量

    15

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    FS6R06VE3_B2

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Part Package Code

    MODULE

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15

  • Risk Rank

    6.18

  • Number of Elements

    6

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    260 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    26 ns

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    20 V

  • Pd - Power Dissipation

    40.5 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.55 V

  • Unit Weight

    0.391541 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    40

  • Continuous Collector Current at 25 C

    11 A

  • Mounting Styles

    底座安装

  • Part # Aliases

    SP000100310 FS6R06VE3B2BOMA1

  • Brand

    Infineon Technologies

  • Tradename

    EasyPACK

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    600 V

  • 系列

    IGBT3

  • 包装

    Tray

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    15

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X15

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMPLEX

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 最大耗散功率(Abs)

    40.5 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    11 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2 V

  • 产品

    IGBT硅模块

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 宽度

    25.4 mm

  • 高度

    12 mm

  • 长度

    35.6 mm

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技术文档: Infineon Technologies FS6R06VE3_B2.

FS6R06VE3_B2拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

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FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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