Infineon Technologies FS75R12KE3B9BPSA1
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FS75R12KE3B9BPSA1
1211-FS75R12KE3B9BPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
1最小包装量--
FS75R12KE3B9BPSA1详情
Infineon Technologies FS75R12KE3B9BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-ECONO2B
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
105 A
Base Product Number
FS75R12
Pd - Power Dissipation
355 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
15
Continuous Collector Current at 25 C
105 A
Part # Aliases
FS75R12KE3_B9 SP005422462
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
系列
-
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
配置
全桥逆变器
功率 - 最大
350 W
输入
Standard
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
5 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.15V @ 15V, 75A
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
5.3 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
FS75R12KE3B9BPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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