Infineon Technologies FS75R12N2T7B15BPSA2

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

AG-ECONO2B

厂商

Infineon Technologies

Package

Tray

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

75 A

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55V

Pd - Power Dissipation

-

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

15

Continuous Collector Current at 25 C

75 A

Part # Aliases

FS75R12N2T7_B15 SP005612510

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tray

子类别

IGBTs

配置

全桥逆变器

功率耗散

-

功率 - 最大

20 mW

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

14 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 75A

连续集电极电流

75A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

15.1 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块