Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1
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FZ825R33HE4DBPSA1
1211-FZ825R33HE4DBPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
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HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES
1最小包装量--
FZ825R33HE4DBPSA1详情
Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
AG-IHVB130-3
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
825 A
Base Product Number
FZ800
Package Type
AG-IHVB130
Maximum Collector Emitter Voltage
3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4V
Pd - Power Dissipation
2400 kW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2
Continuous Collector Current at 25 C
825 A
Part # Aliases
FZ825R33HE4D SP005550793
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
系列
IHM-B
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
配置
单开关
功率耗散
-
功率 - 最大
2.4 MW
输入
Standard
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
5 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
3300 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.65V @ 15V, 825A
连续集电极电流
825A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
93.5 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
FZ825R33HE4DBPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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