Infineon Technologies IDW32G65C5BXKSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

175°C

Power Dissipation (Max)

188W

包装

Tube

系列

CoolSiC™+

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

EFFICIENCY

附加功能

PD-CASE

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

200μA @ 650V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7V @ 16A

工作温度 - 结点

-55°C~175°C

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

16A DC

最大反向电压（DC）

650V

平均整流电流

16A

相位的数量

1

最大非代表Pk前进电流

74A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向电流-最大值

200μA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅