Infineon Technologies IFS100B12N3E4_B39

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100A

Number of Elements

6

操作温度

175°C TJ

已出版

2009

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

34

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL 认证

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

34

JESD-30代码

R-XUFM-X34

资历状况

不合格

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

515W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大耗散功率(Abs)

515W

接通时间

210 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

610 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

6.3nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.1 V

RoHS状态

符合RoHS标准