Infineon Technologies IPB120N06S402ATMA2

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.946308g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

188W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 140μA

已出版

2009

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

188W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 100A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

宽度

9.25mm

高度

4.4mm

长度

10mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant