Infineon Technologies IPD22N08S2L50ATMA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 31μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

75W Tc

已出版

2006

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 50A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

27A

最大双电源电压

75V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

108A

雪崩能量等级（Eas）

94 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅