Infineon Technologies IPD30N12S3L31ATMA2
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IPD30N12S3L31ATMA2
1211-IPD30N12S3L31ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET_(120V 300V)
1最小包装量--
IPD30N12S3L31ATMA2详情
Infineon Technologies IPD30N12S3L31ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3-11
厂商
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
57W (Tc)
Qualification
AEC-Q101
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
31mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 29µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1970 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
120 V
Vgs(最大值)
±20V
职系
汽车
IPD30N12S3L31ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
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