Infineon Technologies IPD50R520CPATMA1
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IPD50R520CPATMA1
1211-IPD50R520CPATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252
大陆
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Trans MOSFET N-CH 550V 7.1A 3-Pin TO-252 T/R
1最小包装量--
IPD50R520CPATMA1详情
Infineon Technologies IPD50R520CPATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
TO-252
引脚数
3
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
80 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
66W
元素配置
Single
功率耗散
66W
接通延迟时间
35 ns
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
500V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
7.1A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
500V
漏源击穿电压
550V
双电源电压
550V
输入电容
680pF
漏源电阻
520mOhm
最大rds
520 mΩ
栅源电压
3 V
高度
2.41mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD50R520CPATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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