Infineon Technologies IPD60R460CEAUMA1
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IPD60R460CEAUMA1
1211-IPD60R460CEAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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CONSUMER
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IPD60R460CEAUMA1详情
Infineon Technologies IPD60R460CEAUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大双电源电压
600V
漏极-源极导通最大电阻
0.46Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
26A
雪崩能量等级(Eas)
185 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPD60R460CEAUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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