Infineon Technologies IPD60R520CPBTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

66W Tc

Turn Off Delay Time

74 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

66W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

520m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

6.8A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.52Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准