Infineon Technologies IPD70P04P409ATMA1
- 收藏
- 对比
IPD70P04P409ATMA1
1211-IPD70P04P409ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET P-CH TO252-3
--最小包装量--
IPD70P04P409ATMA1详情
Infineon Technologies IPD70P04P409ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
73A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.9m Ω @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 120μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4810pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
12ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
73A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-40V
漏极-源极导通最大电阻
0.0089Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
292A
雪崩能量等级(Eas)
24 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPD70P04P409ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies










哦! 它是空的。