Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1
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IPD90R1K2C3ATMA1
1211-IPD90R1K2C3ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252
--最小包装量--
IPD90R1K2C3ATMA1详情
Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.1A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
83W Tc
Turn Off Delay Time
400 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 310μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
83W
接通延迟时间
70 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
710pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
900V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
5.1A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大双电源电压
900V
输入电容
710pF
漏源电阻
1.2Ohm
最大rds
1.2 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPD90R1K2C3ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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