IPG20N04S409AATMA1
IPG20N04S409AATMA1

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥12.824716

  • 10

    ¥12.098785

  • 100

    ¥11.413951

  • 500

    ¥10.767876

  • 1000

    ¥10.158376

Infineon Technologies IPG20N04S409AATMA1

  • 收藏
  • 对比

型号

IPG20N04S409AATMA1

utmel 编号

1211-IPG20N04S409AATMA1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IPG20N04S409AATMA1
IPG20N04S409AATMA1 Infineon Technologies MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8

单价: $

合计:

库存:75809

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IPG20N04S409AATMA1详情

Infineon Technologies IPG20N04S409AATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 供应商器件包装

    PG-TDSON-8-4

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Product Status

    活跃

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A (Tc)

  • Base Product Number

    IPG20N

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 功率 - 最大

    54W (Tc)

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    8.6mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 22μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2250pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    28nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 场效应管特性

    Standard

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IPG20N04S409AATMA1.

IPG20N04S409AATMA1拓展信息

IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1
IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF
IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF

Infineon Technologies

IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z