Infineon Technologies IPG20N06S3L-23

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

45W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

*PG20N06

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 20μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

55V

下降时间（典型值）

75 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

33A

漏极-源极导通最大电阻

0.023Ohm

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准