Infineon Technologies IPI040N06N3GXKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

188W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 90μA

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

188W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 90A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11000pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

90A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

165 mJ

宽度

4.52mm

高度

9.45mm

长度

10.36mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅