Infineon Technologies IPI110N20N3GAKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

88A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

41 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 270μA

系列

OptiMOS™

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 88A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7100pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

88A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

352A

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅