Infineon Technologies IPI50R399CPXKSA2

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 330μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

399m Ω @ 4.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

890pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

560V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

宽度

4.5mm

高度

9.45mm

长度

10.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant