Infineon Technologies IPI60R165CPAKSA1

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

192W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 790μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2011

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 12A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.165Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

61A

雪崩能量等级（Eas）

522 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅