Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

151W Tc

Turn Off Delay Time

112 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 700μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ E6

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)

终止次数

4

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 7.3A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1620pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

20.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅