Infineon Technologies IPN50R3K0CEATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-223-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 30μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 400mA, 13V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

84pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

2.6A

阈值电压

3V

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

DS 击穿电压-最小值

500V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant