Infineon Technologies IPP055N03LGXKSA1
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IPP055N03LGXKSA1
1211-IPP055N03LGXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-220 Tube
--最小包装量--
IPP055N03LGXKSA1详情
Infineon Technologies IPP055N03LGXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 250μA
Turn Off Delay Time
25 ns
Power Dissipation (Max)
68W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
已出版
2008
系列
OptiMOS™
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
68W
接通延迟时间
6.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3200pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
上升时间
5.2ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
50A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
输入电容
3.2nF
漏源电阻
4.6mOhm
最大rds
5.5 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
IPP055N03LGXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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