Infineon Technologies IPP120N08S403AKSA1

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

60 ns

Power Dissipation (Max)

278W Tc

已出版

2013

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

278W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 223μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11550pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

167nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

120A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

80V

漏极-源极导通最大电阻

0.0028Ohm

漏源击穿电压

80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

920 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

20.7mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅