Infineon Technologies IPP120N20NFDAKSA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 84A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 270μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6650pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

84A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅