Infineon Technologies IPP320N20N3GXKSA1
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IPP320N20N3GXKSA1
1211-IPP320N20N3GXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3 Tab) TO-220
--最小包装量--
IPP320N20N3GXKSA1详情
Infineon Technologies IPP320N20N3GXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
34A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
136W Tc
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
136W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 34A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 90μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2350pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
34A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
200V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP320N20N3GXKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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