Infineon Technologies IPP50R500CEXKSA1

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.6A Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 200μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

系列

CoolMOS™

已出版

2008

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

57W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

57W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 2.3A, 13V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

433pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.7nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

7.6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

雪崩能量等级（Eas）

129 mJ

场效应管特性

超级交界处

宽度

4.57mm

高度

15.95mm

长度

10.36mm

RoHS状态

符合RoHS标准