Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

96W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

96W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

299m Ω @ 6.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 440μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.299Ohm

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅