Infineon Technologies IPP60R380E6XKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 320μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

10.6A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅