Infineon Technologies IPP80N06S2H5AKSA2

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

48 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 230μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

155nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.0055Ohm

漏源击穿电压

55V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

高度

15.65mm

长度

10mm

宽度

4.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅