Infineon Technologies IPU60R1K0CEAKMA2

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

61W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 130μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 1.5A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

4.3A

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

雪崩能量等级（Eas）

46 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅