Infineon Technologies IPW65R037C6FKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

83.2A Tc

Turn Off Delay Time

140 ns

Power Dissipation (Max)

500W Tc

已出版

2008

系列

CoolMOS™ C6

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

37m Ω @ 33.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 3.3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7240pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

330nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

83.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

297A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅