Infineon Technologies IR11662STRPBF
- 收藏
- 对比
IR11662STRPBF
1211-IR11662STRPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC
--最小包装量--
IR11662STRPBF详情
Infineon Technologies IR11662STRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
8
质量
540.001716mg
SwitchingFrequency
500kHz
Turn Off Delay Time
75 ns
Logic voltage-VIL, VIH
2V 2.15V
Driver Configuration
Low-Side
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Advanced Smart Rectifier™
已出版
2014
操作温度
-25°C~125°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
5Ohm
电压 - 供电
11.4V~18V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IR11662SPBF
输出电压
200V
最大输出电流
1A
工作电源电流
50mA
输出电流
1A
输入类型
Non-Inverting
输出功率
970mW
接通延迟时间
95 ns
拓扑
反激式
上升时间
21ns
下降时间(典型值)
10 ns
上升/下降时间(Typ)
21ns 10ns
接口IC类型
基于半桥的mosfet驱动器
信道型
Single
隔离
Isolated
驱动器数量
1
接通时间
0.095 μs
输出峰值电流限制-名
4A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 4A
高边驱动器
YES
关断时间
0.075 μs
宽度
3.9878mm
长度
4.9784mm
高度
1.4986mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IR11662STRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。