Infineon Technologies IR1166STRPBF
- 收藏
- 对比
IR1166STRPBF
1211-IR1166STRPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC
--最小包装量--
IR1166STRPBF详情
Infineon Technologies IR1166STRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
21 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
540.001716mg
Driver Configuration
Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
2V 2.15V
操作温度
-25°C~125°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2008
系列
SmartRectifier™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
5Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
970mW
电压 - 供电
11.4V~18V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
频率
500kHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IR1166SPBF
资历状况
不合格
输出电压
200V
最大输出电流
4A
工作电源电流
65mA
功率耗散
970mW
输出电流
1A
最大电源电流
65mA
传播延迟
80 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
80 ns
拓扑
反激式
上升时间
181ns
下降时间(典型值)
44 ns
上升/下降时间(Typ)
21ns 10ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Single
驱动器数量
1
输出峰值电流限制-名
4A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 4A
高边驱动器
NO
关断时间
0.065 μs
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IR1166STRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。