Infineon Technologies IR2011PBF
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IR2011PBF
1211-IR2011PBF
PMIC - 栅极驱动器
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
--最小包装量--
IR2011PBF详情
Infineon Technologies IR2011PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
Driver Configuration
High-Side or Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.7V 2.2V
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
通孔
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IR2011PBF
输出的数量
2
输出电压
220V
最大输出电流
1A
电源
15V
电源电流
230μA
功率耗散
1W
输出电流
1A
最大电源电流
230μA
传播延迟
80 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
20 ns
最大输出电压
20V
上升时间
50ns
下降时间(典型值)
35 ns
最小输出电压
10V
上升/下降时间(Typ)
35ns 20ns
接口IC类型
基于半桥的mosfet驱动器
信道型
Independent
输出峰值电流限制-名
1A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 1A
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
200V
高度
4.9276mm
长度
10.8966mm
宽度
7.11mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IR2011PBF拓展信息
Infineon Technologies
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